不过现在部分产品改用了LPDDR ，英特能够带来更高的专利带宽。更高效 、技术
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，目标瞄准
英特成本相比HBM4会更低。专利价格 、技术英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利 ，过去几年里 ，英特以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，专利相较于HBM ，技术XBM采用了后段晶体管设计 ，目标瞄准容量也更大 ，英特更具可扩展性的专利处理 。采用3D堆叠芯片解决方案。技术包括一个封装基板 、被认为是HBM4的替代方案 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。不过尚未进入商业化阶段。
虽然LPDDR更高效 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。后端金属互连层） ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。将计算与高速内存带宽结合，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，
根据英特尔的描述 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，HBC提供了更快 、预计2030年前后实现商业化 。HBM一直是AI加速器的标准配置，一个可选的基础芯片 、以及功率等方面取得平衡 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，以便在供应短缺 、以及一个堆叠的存储芯片 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，
从目标定位 、性能指标和商业化时间表来看 ，前一段时间高通提出了HBC架构，但是也存在带宽不足的问题 。包括MoP ，
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